מאָלעקולאַרע שטראַל עפּיטאַקסי (MBE) איז אַ העכסט פּינקטלעכע טעכניק געניצט צו פאַבריצירן דין פילמען און נאַנאָסטרוקטורן פֿאַר פֿאַרשידענע אַפּליקאַציעס, אַרייַנגערעכנט האַלב-קאָנדוקטאָר דעוויסעס, אָפּטאָעלעקטראָניק און קוואַנטום קאַמפּיוטינג. איינע פון ​​די הויפּט טשאַלאַנדזשיז אין MBE סיסטעמען איז צו האַלטן גאָר נידעריקע טעמפּעראַטורן, וואָס איז וווּוואַקוום דזשאַקעטעד רערס (VJP) קומען אריין אין שפּיל. די אַוואַנסירטע רערן זענען וויכטיק פֿאַר זיכער מאַכן טערמישע קאָנטראָל אין MBE קאַמערן, מאַכנדיג זיי אַן אומפֿאַרמעגלעכער קאָמפּאָנענט אין דערגרייכן הויך-קוואַליטעט וווּקס פון מאַטעריאַלן אויף דער אַטאָמישער מדרגה.

וואָס איז מאָלעקולאַר שטראַל עפּיטאַקסי (MBE)?

MBE איז אַ דעפּאָזיציע טעכניק וואָס באַשטייט פון קאָנטראָלירטע דעפּאָזיציע פון ​​אַטאָמישע אָדער מאָלעקולאַרע שטראַלן אויף אַ סאַבסטראַט אין אַ הויך-וואַקוום סביבה. דער פּראָצעס ריקווייערז פּינקטלעכע טעמפּעראַטור קאָנטראָל צו דערגרייכן די געוואונטשענע מאַטעריאַל אייגנשאַפטן, וואָס מאַכט טערמישע פאַרוואַלטונג אַ קריטישער פאַקטאָר. אין MBE סיסטעמען,וואַקוום דזשאַקעטעד רערןווערן גענוצט צו טראגן קריאגענישע פליסיקייטן און גאזן, און זיכער מאכן אז דער סובסטראט בלייבט ביי דער ריכטיגער טעמפעראטור בעת דעם דעפאזיציע פראצעס.